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IXFN60N60

SOT-227-4,miniBLOC IXYS 318 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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IXFN60N60参数
产品类别:半导体模块-FET
说明:MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
包装数量:10
包装形式:管件
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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:380nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:15000pF @ 25V
功率 - 最大:700W
安装类型:底座安装

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